История развития памяти

Опубликовано в Компоненты ПК, Оперативная память

 

Существует довольно много различных вариантов динамической памяти, незна­чительно отличающихся друг от друга принципами доступа к данным.

Обычная динамическая память DRAM уже давно не встречается — в середине 1990-х годов ей на смену пришла модификация динамической памяти FPM DRAM (Fast Page Mode — динамическая память с быстрым страничным доступом).

История развития памяти

style="display:block; text-align:center;"
data-ad-layout="in-article"
data-ad-format="fluid"
data-ad-client="ca-pub-6007240224880862"
data-ad-slot="2494244833">


Асинхронная память FPM DRAM

Принцип действия FPM-памяти основан на предположении о последовательном доступе к данным: предполагается, что данные, к которым происходит обращение, расположены последовательно в пределах одной строки матрицы памяти.

Страни­цей в данном случае называется сама строка матрицы. Смысл страничного режима доступа заключается в том, что после выбора строки матрицы и удержания RAS допускается многократная установка адреса столбца, стробируемого СAS. Такой подход позволяет выбирать последовательные данные в пределах одной строки без изменения ее адреса, то есть с одним и тем же сигналом RAS. Это дает возможность ускорить блочные передачи, но только в том случае, если весь блок данных или его часть находится внутри одной строки матрицы.

Асинхронная память EDO DRAM


style="display:block; text-align:center;"
data-ad-layout="in-article"
data-ad-format="fluid"
data-ad-client="ca-pub-6007240224880862"
data-ad-slot="2494244833">

Вторым типом динамической памяти (она также уже не встречается) является EDO DRAM (Extended Data Out), по сути представляющая собой несколько продвину­тый вариант FPM-памяти.

В этой памяти тоже реализована страничная схема доступа, но на выходе микросхемы памяти устанавливаются регистры-защелки данных. При страничном режиме доступа такой тип памяти работает по принципу конвейера: содержимое выбранной ячейки удерживается в выходных регистрах- защелках, в то время как на входы матрицы уже подается адрес следующей выби­раемой ячейки. В режиме конвейера удается совместить по времени несколько операций, что приводит к увеличению (по сравнению с FPM-памятью) скорости считывания последовательных массивов данных. Однако при случайной адресации такая память ничем не отличается от обычной.

Асинхронная память BEDO DRAM


style="display:block; text-align:center;"
data-ad-layout="in-article"
data-ad-format="fluid"
data-ad-client="ca-pub-6007240224880862"
data-ad-slot="2494244833">

BEDO (Burst EDO) DRAM — это вариант все той же EDO-памяти, но с реализа­цией блочного, или пакетного, доступа. В BEDO-памяти реализованы не одиночные циклы чтения/записи данных, а пакетные.

Дело в том, что современные процессо­ры благодаря кэшированию команд и данных обмениваются с оперативной памятью в основном блоками данных. В таком режиме нет необходимости постоянной по­дачи последовательных адресов на входы микросхем памяти — следует лишь стро- бировать переход к очередному блоку данных отдельным сигналом.

Обращение к BEDO на чтение имеет два отличия от доступа к EDO. Первое — это то, что на выходе устанавливаются триггерные регистры хранения, в соответствии с принципом работы которых в первом такте синхронизирующего импульса (сра­батывание по положительному фронту импульса) данные поступают на вход ре­гистра, а во втором такте — на его выход.

Тактирующим импульсом в данном случае является сигнал CAS, поэтому в первом такте CAS данные поступают на вход регистров и только во втором такте — на выходы. Преимущество такого внутреннего конвейерного звена состоит в том, что во втором такте время появления данных после выдачи переднего фронта CAS будет меньше.

Другое отличие состоит в том, что при обращении к BEDO-памяти задается адрес одной ячейки в строке, а за счет стробирующих импульсов CAS считывается со­держание и этой ячейки, и трех следующих, то есть реализуется пакетный метод доступа.