Типы модулей DIMM

Опубликовано в Конструктивные особенности модулей DIMM

Контакты, расположенные на разных сторонах модуля DIMM, независимы, в отличие от SIMM, где симметричные контакты, расположенные на разных сторонах модуля, замкнуты между собой и передают одни и те же сигналы.

Модуль DIMM имеет 64 (без контроля четности) или 72 (с контролем по четности или коду ЕСС) линии передачи данных, в отличие от SIMM с 32 линиями.

Модули DIMM бывают трех типов — с чипами памяти SDRAM, DDR SDRAM, DDR2 SDRAM и DDR3 SDRAM.



Стандартный модуль DIMM SDRAM имеет 168 выводов, содержат по одному радиусному пазу с каждой стороны и два паза в области контактов (рис. ниже).

Элементы модуля DIMM SDRAM 168 контактов

Элементы модуля DIMM SDRAM 168 контактов

Модули DIMM DDR SDRAM имеют 184 вывода, содержат по два паза с каждой стороны и только один паз в области контактов (рис. ниже).

Элементы модуля DIMM DDR SDRAM 184 контакта

Элементы модуля DIMM DDR SDRAM 184 контакта



Ключ в области контакта указывает на используемое напряжение.

Типы модулей DIMM

Два паза по обе стороны модуля предназначены для обеспечения совместимости с разъемами памяти разного профиля. Расположение ключа (слева, в центре или справа от промежутка между 52-м и 53-м контактами) не только соответствует определенному напряжению, но и предотвращает установку модуля в не подходящий для него разъем.

Модули DIMM DDR2 имеют 240 выводов, два паза на правой и левой стороне модуля и один в центре контактной области модуля. Длина тракта модулей DIMM этого типа может быть 64 разряда (без контроля четности) или 72 разряда (с контролем четности или поддержкой кода коррекции ошибок ЕСС) (рис. ниже).

Элементы модуля DIMM DDR2 SDRAM 240контактов

Элементы модуля DIMM DDR2 SDRAM 240 контактов



Два ключа на каждой стороне модуля обеспечивают совместимость модулей с низко- и высокопрофильными фиксаторами разъемов системной платы. Ключ соединителя смещен по отношению к центру модуля DIMM во избежание установки модуля обратной стороной в разъем. Метка ключа размещена в центре между контактами 64 и 65 передней стороны модуля (между контактами 184 и 185 на задней стороне). Все модули DIMM DDR2 работают с напряжением 1,8 В, поэтому ключ напряжения отсутствует.

На каждой стороне платы DIMM расположены различные выводы сигнала, по-этому модули DIMM называются модулями памяти с двухрядным расположением выводов. Вместе с тем название DIMM отображает наличие в модуле двух банков памяти. Микросхемы в модулях DIMM могут устанавливаться с одной либо с двух сторон платы.

Существует три модификации модулей DIMM SDRAM и DDR SDRAM — буферизированные, небуферизированные и регистровые.

Буферизированная память оснащена дополнительной цепью буферизации, размещенной между микросхемами памяти и контактными выводами, которая выравнивает или буферизирует передаваемые сигналы. Практически все системные платы, разработанные для использования памяти SDRAM или DDR SDRAM, требуют установки небуферизированных или регистровых модулей.



Буферизированные модули дорогие и встречается редко.

Многие системные платы разработаны для поддержки небуферизированных модулей памяти. Модули этого типа обладают средствами защиты от помех. Это наиболее дешевый, эффективный и быстродействующий тип модулей. К недостаткам этих модулей относится то, что для системной платы определено допустимое количество модулей. Установка двух банков памяти в некоторых системах и при определенных условиях может быть запрещена.

Для реализации поддержки большого объема ОЗУ требуется регистровая память. Чипы на модулях содержат регистровую память, которая служит буфером между чипами ОЗУ и контроллерами чипсета. Регистры собирают и хранят поступающие в модули со всех направлений системной платы данные. Таким образом, запись в память откладывается, что позволяет системе обработать большее число данных.