Технические показатели DIMM DDR SDRAM

Опубликовано в Модуль DIMM DDR

Технические показатели DIMM DDR SDRAM

Модули DIMM DDR SDRAM содержат несколько одинаковых чипов памяти и конфигурационный чип SPD. На модулях регистровой (Registered) памяти дополнительно расположены чипы с регистрами, а на модулях нерегистровой небуферизирванной (Unbuffered) памяти эти чипы отсутствуют.

■ Количество чипов на модуле DIMM (# of DRAM Devices) кратно восьми для модулей без выполнения проверки ЕСС, а для модулей с ЕСС — кратно девяти. Чипы могут располагаться на одной или обеих сторонах модуля. Максимально на DIMM умещается 36 (9×4) чипов.

■ Количество строк (ранков) (# of DRAM rows (ranks)). Использование этого параметра можно объяснить следующим образом. Перед обращением к ячейке памяти DDR активируется та строка, в которой находится искомая ячейка, причем в модуле активна только одна строка в одном банке за один доступ. Чем больше строк в модуле, тем чаще в среднем придется закрывать одну строку и активировать другую, что вызовет дополнительные задержки. Типичное число ранков —1,2 или 4. Разрядность строки равна разрядности шины памяти и составляет 64 разряда для памяти без ЕСС и 72 разряда для памяти с ЕСС.

Как определить объем, разрядность и тип модуля DIMM?

■ Для определения объема модуля перемножаем объем одного чипа на число чипов. При использовании контроля ЕСС это число дополнительно умножается на коэффициент 8/9, поскольку на каждый байт приходится один бит избыточности для контроля ошибок.

■ Общая разрядность модуля DIMM равна произведению разрядности одного чипа на количество чипов и равна произведению количества ранков на 64 (72) бита. Таким образом, увеличение количества чипов или использование чипов х8 вместо х4 ведет к увеличению количества ранков модуля.

■ Увеличение вдвое по сравнению с DIMM SDRAM пропускной способности памяти повлекло изменение формфактора модулей DIMM DDR. Так, при сохранении тех же размеров модуля число контактов увеличилось с 168 до 184. Изменившееся положение ключа не позволяет вставить модуль DIMM DDR SDRAM в разъем DIMM SDRAM.

■ Модули DIMM DDR работают при напряжении питания 2,5 В, в отличие от DIMM SDRAM, которые работает при напряжении питания 3,3 В, что существенно снижает тепловыделение модулей DIMM.

■ Большинство выпускаемых сегодня чипсетов позволяет использовать модули DIMM DDR SDRAM в двухканальном и даже в четырехканальном режиме, что позволяет увеличить в 2 или 4 раза пропускную способность шины памяти. Для работы памяти в двухканальном режиме требуется 2 (или 4) модуля памяти. Необходимо использовать модули, работающие на одной частоте и имеющие одинаковый объем и тайминги. Рекомендуется использовать абсолютно одинаковые модули.

Тайминг, или латентность, — это временная задержка сигнала, которая имеет место при выборке данных из ОЗУ.

Учитывая определенный порядок, в соответствии с которым защелкивается адрес ячейки, выбираются нужные шины строки и колонки, а затем выбранные из ячеек данные передаются на шину ввода-вывода, приходится констатировать, что потери времени на выборку данных из памяти очень существенны. Эти временные задержки так и называются — тайминги и для краткости записывают в виде последовательности х-х-х, каждое число х которой представляет временной параметр. Таким образом, от таймингов в значительной степени зависит пропускная способность участка микропроцессор-память и быстродействие компьютера в целом.

В таблицах ниже представлены параметры модулей DIMM DDR SDRAM.

Параметры модулей DIMM DDR SDRAM

Параметры модулей DIMM DDR SDRAM

Параметры модулей DIMM DDR SDRAM (ПРОДОЛЖЕНИЕ)

Параметры модулей DIMM DDR SDRAM (ПРОДОЛЖЕНИЕ)

ПРИМЕЧАНИЕ

Скорость передачи данных в двухканальном режиме вдвое выше, чем в одноканальном.

Временные характеристики модулей DIMM DDR SDRAM

Временные характеристики модулей DIMM DDR SDRAM

ПРИМЕЧАНИЕ

DTPS (Data Transfer Per Second) — количество данных, передаваемых в секунду.