Знакомство со стандартной памятью Rambus

Синхронной памяти свойственно несколько ограничений, преодолеть которые позволила технология Rambus. Этот стандарт был предложен компанией Rambus Inc. и поддержан Intel Corporation. В настоящее время стандартная память технологии Rambus развивается благодаря усилиям этого альянса, а также ведущих мировых производителей электронных компонентов — Micron, Samsung, Toshiba и др.

Базовый вариант памяти RDRAM (Rambus DRAM) основан на архитектуре обычной SDRAM. В качестве ядра в RDRAM используется SDRAM, работающая на частоте 100 МГц. RDRAM организована в многобанковую структуру, ширина шины данных которой 128 разрядов. Таким образом, пропускная способность шины этой памяти по сравнению с PC 100 удвоена и составляет 1,6 Гбайт/с.

Ширина интерфейса RDRAM, через который память взаимодействует с контроллером памяти, уменьшена по сравнению с SDRAM в 4 раза — с 64 до 16 разрядов. Это позволило значительно повысить тактовую рабочую частоту, на которой функционирует память Rambus. Данные передаются по два пакета за такт. Поэтому пропускная способность шины памяти RDRAM во много раз превышает этот параметр шины памяти SDRAM.

DRDRAM (Direct Rambus DRAM) — другая разновидность быстрой динамической памяти с произвольным доступом. Основу архитектуры Rambus составляют банки памяти, «пронизанные» скоростным каналом. Канал представляет собой электрическую шину, подключающую элементы памяти к контроллеру и разъемам (рис. ниже). Канал входит в модуль на одном конце, проходит через все чипы и выходит на другом конце модуля.

Размещение модулей памяти Rambus в системе

Размещение модулей памяти Rambus в системе

Шина данных синхронизируется от внешнего источника 400 МГц, как и память DDR SDRAM фронтом и срезом, благодаря чему тактовая частота синхронизации памяти достигает 800 МГц. Пропускная способность 16-разрядной шины памяти DRDRAM составляет 1,6 Гбайт/с для одного канала и до 6,4 Гбайт/с для четырех каналов.

Широкая шина и высокая частота значительно повышают эффективность использования DRAM, максимально освобождая пути данных от временных задержек.

Значительные усовершенствования в DRDRAM коснулись структуры и организации банков памяти. Если модуль DIMM SDRAM содержит всего лишь четыре банка, то микросхема DRDRAM 128-Мбит располагает 32 банками.

Современные модули RIMM (Rambus In-line Memory Module) могут содержать до 128 банков памяти Rambus.

Один канал DRDRAM может использовать всего 72 сигнальных вывода. Традиционной 128-разрядной архитектуре памяти, которая сможет обеспечить полосу пропускания, эквивалентную одному каналу RDRAM, требуется около 240 выводов.

Кроме DRDRAM существуют еще две приблизительно одинаковые разновидности памяти Rambus — Base Rambus и Concurrent Rambus DRAM, которые отличаются от DRDRAM.

Когда речь идет о памяти типа Rambus, подразумевают разновидность RDRAM. В таблице ниже представлены параметры модулей RIMM памяти RDRAM.

Параметры модулей RIMM RDRAM

Параметры модулей RIMM RDRAM

Яндекс.Метрика