Объединение микросхем DRAM

Опубликовано в Стандартная динамическая память

В микросхеме DRAM доступ осуществляется одновременно к нескольким байтам. Для масштабирования адресов и данных несколько микросхем объединяются.

Для реализации технологий ускорения доступа к памяти (организация страничной памяти, интервала, пакетного режима и т.д.) память структурируется — делится на несколько банков, страниц, блоков и каналов. Емкость и разрядность микросхем, используемых в банках, зависит от конструкции системной платы.

Микросхемы памяти характеризуются типом, объемом памяти, структурой и временем доступа к ячейкам.

  • Тип. Обозначает статическую или динамическую память.
  • Объем. Показывает емкость микросхемы. Микросхемы DRAM строятся на базе технологии CMOS и прогрессивных технологических конструктивных норм. Микросхемы DRAM обладают плотной упаковкой элементов и малой мощностью рассеяния.
  • Структура. Количество ячеек памяти и разрядность каждой из них.
  • Время доступа к памяти. Характеризуется интервалом времени, в течение которого информация записывается в память или считывается из нее. Если быстродействие процессора можно оценить тактовой частотой, выраженной в МГц, то время доступа к памяти измеряется в наносекундах (нс). Время доступа современных микросхем памяти меньше 7 нс.
  • Быстродействие компьютера зависит от временных и тактовых соотношений между различными компонентами системной платы.
  • Тактовая частота процессора превышает частоту на внешней шине и на шине контроллера ОЗУ. Таким образом, основной «тормоз» системы — оперативная память.

Объединение микросхем DRAM

Повышение частоты на шине ОЗУ приводит к сокращению времени доступа к памяти и росту быстродействия компьютера. Для минимизации влияния временных соотношений на скоростные возможности системной платы разрабатываются различные варианты построения модулей памяти.

Как уже отмечалось, ОЗУ поставляется для системных плат в виде модулей, с одной или двух сторон которых распаяны микросхемы памяти.

На системной плате смонтированы разъемы для установки в них стандартных модулей памяти следующих основных типов.

  • С одной линией контактов — SIMM (Single In-line Memory Module).
  • Модулей памяти с двумя линиями контактов — DIMM (Dual In-line Memory Module).
  • Модулей памяти технологии Rambus — RIMM (Rambus In-line Memory Module).

Существуют модули памяти DRAM также и других технологий — DIP, SIPP, EDO DRAM, Common DRAM и т.д.

В настоящее время в персональных компьютерах используются модули DIMM, которым и посвящен материал этой категории сайта.