Нанотехнология SOI

Опубликовано в Одноядерные процессоры AMD К8

Нанотехнология SOI

Первая группа процессоров Athlon 64 была создана с применением технологии 130 нм.

Процессоры второй группы Athlon 64 для настольных ПК базируются на ядрах San Diego, Winchester и Venice, созданных по технологическим конструктивным нормам 90 нм.

Для достижения более высоких показателей быстродействия, а также решения задач энергосбережения и уменьшения тепловыделения все современные процессоры семейства Athlon 64 выпускаются с применением технологического процесса 90 нм SOI (Silicon On Insulator).

Нанотехнология SOI дает возможность использовать в производстве микросхем группы очень тонких слоев силикона, толщиной от 50 нм до 100 нм, которые создаются на подложке изоляционного субстрата.

Обычно для создания микросхем для процессоров применяется технологический процесс CMOS с применением кремния и изоляционного слоя на базе диоксида кремния (Si₂O), толщина которого 80 нм и на 3 нм превышает толщину слоя кремния.

Применение этой технологии обеспечивает понижение мощности рассеяния транзисторов микросхем, работающих в ключевом режиме (до 30%). Таким образом, достигается повышение скорости переключения (до 15%), по сравнению с микросхемами, созданными по традиционной технологии CMOS.